엠에이케이

대기압 플라즈마에 의한 표면활성화 원리

1. N2 플라즈마 내의 라디칼이 표면의 카본과 반응

2. 산소 라디칼, 카본, 수소, 금속 등에 의하여 산소층이 표면에 형성됨

3. 플라즈마에 의하여 표면이 활성화 됨

대기압 플라즈마에 의한 유기물 제거

표면의 유기물은 라디칼(O^, OH-)의 화학적 반응과 질소 라디칼의 물리적 반응에 의하여 제거된다.

지문 제거

지문 제거

C15

Carbon ratio is reduced : removed in the form of CO2 by Generation of O2 plasma.

Generation of C-N bond : by N2 plasma.

Reduction of C=O bond : by reduction of carbon removed int the form of CO2 by generation of O2 plasma.

O1S

Increase of O ratio : Adsorption of oxygen on surface by generation of O2 plasma.

Increase of O-In, O-Sn ratio by reduction (removal)of contaminated C on surface, which means exposure of pure ITO with Plasma treatment.